本中心鄭正元教授專注於超快雷射切割碳化矽晶圓之研究。透過與捷克Extreme Light Infrastructure European Research Infrastructure Consortium (ELI ERIC)合作，一同研究雙脈衝雷射對改質區域之影響與更多之可能性。透過雙脈衝雷射切片技術，解決目前主流碳化矽晶圓之切片技術鑽石線鋸(Dimond Wire Sawing)，產生之高材料切口損失。
本研究為全球首例使用40fs飛秒雷射系統，進行N-type 4H-SiC晶圓之內部改質研究。實驗證實，前導脈衝能有效激發材料內部自由載子場，提升主脈衝的能量耦合效率，進而穩定形成改質區並促進4°傾角裂紋擴展。並且，雙脈衝可將穩定改質之掃描速度從40μm/s提升至240μm/s，顯著提高加工效率六倍以上。同時，40fs脈衝持續時間可獲得之改質區域厚度(7.2μm)，相較於200fs(38.7μm)與500fs(100.1μm)分別獲得5.3倍與14倍之進步，進一部證實縮短脈衝時間可以有效降低改質層厚度，進而減少材料損失。
 

於捷克ELI Beamlines Facility執行合作之研究成果: (a-b)碳化矽飛秒雷射內部改質之實驗設置與 (c)內部改質特徵及(d) 4°傾角裂紋