本計畫因應國際晶圓製造大廠環球晶圓提出之需求，由本中心李三良、李仰淳教授與楊承山教授組成跨校研究團隊，承接環球晶圓的兩年期大型產學合作案。將建立電路模型，評估與分析具電荷陷阱層(CTL)的SOI晶圓在未來單通道200Gb/s以上傳輸率的矽光子光通訊收發機的可行性，希望藉由CTL層來降低寄生表面傳導效應，從而提升基板性能並增加頻寬。此外將針對微波光電積體電路的應用，探討電荷陷阱層SOI晶圓的高頻與非線性特性，包括頻寬、串擾、諧波失真，此外也將探討加入電感器對微波光電積體電路性能的影響。主要工作將建立含CTL層的SOI結構電路模型，並模擬所產生頻寬、串擾及二次/三次諧波失真，並製作傳輸線以量測驗證效能。由於預期具CTL的SOI晶圓在矽光子領域有很大應用潛力，本計畫亦將探討設計製作新的CTL層的可行性，目標是增加晶圓的有效電阻率及缺陷密度，並結合其他矽光子功能，使此CTL層兼具其他光學功能，例如繞射、散射或反射等，增加此高階晶圓的附加價值。